浙江加工Mitsubishi三菱IGBT模块报价 江苏芯钻时代电子科技供应

    在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构，在其他实施例中，也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米～3微米，所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果：1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置，在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构，再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构，一起作用栅极结构的屏蔽电极，这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成，有利于缩小器件的沟槽101的步进，较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极，实现和发射区的短接。

    模块的内部等效电路多个管芯并联时，栅极已经加入栅极电阻，实际的等效电路如图2所示。不同制造商的模块，栅极电阻的阻值也不相同；不过，同一个模块内部的栅极电阻，其阻值是相同的。图2单管模块内部的实际等效电路图IGBT单管模块通常称为1in1模块，前面的“1”表示内部包含一个IGBT管芯，后面的“1”表示同一个模块塑壳之中。2.半桥模块，2in1模块半桥（Halfbridge）模块也称为2in1模块，可直接构成半桥电路，也可以用2个半桥模块构成全桥，3个半桥模块也构成三相桥。因此，半桥模块有时候也称为桥臂（Phase-Leg）模块。图3是半桥模块的内部等效。不同的制造商的接线端子名称也有所不同，如C2E1可能会标识为E1C2，有的模块只在等效电路图上标识引脚编号等。图3半桥模块的内部等效电路半桥模块的电流/电压规格指的均是其中的每一个模块单元。如1200V/400A的半桥模块，表示其中的2个IGBT管芯的电流/电压规格都是1200V/400A，即C1和E2之间可以耐受高2400V的瞬间直流电压。不仅半桥模块，所有模块均是如此标注的。3.全桥模块，4in1模块全桥模块的内部等效电路如图4所示。图4全桥模块内部等效电路全桥（Fullbridge）模块也称为4in1模块，用于直接构成全桥电路。

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