浙江品质Mitsubishi三菱IPM模块供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    如图所示：本发明为一种高功率模块的制备方法，可在集成电路(ic)芯片(热源)与散热基板间利用网版印刷、探针式点胶转移技术或刮刀涂布等方式将银基奈米浆料涂布在该散热基板上；其中该散热基板的材质为银、铜、金、或镍的合金，或是材质为陶瓷、或氧化硅的基板上具有银、金、镍、钛的合金或氮化物镀层。根据上述探针式点胶转移技术，本发明所提方法主要采用非接触式探针点胶技术，使浆料由探针带出后，不碰触基板，而是让浆料接触基板后完成浆料涂布。如图3所示，图(a)显示本方法可避免因探针接触基板而破坏基板及基板表面涂层，并避免探针长时间使用而损坏，且可达到较小的涂布面积，相较图(b)所示接触式探针点胶技术，本发明可小30％的涂布面积。因此，本发明为适应次世代高功率模块的高工作温度，提出新型态的热接口材料作为新世代高功率模块的关键材料之一，所提高功率模块的制备方法如图1所示，至少包含下列步骤：步骤s101：提供一非接触式探针点胶设备1，以非接触式探针配合电压量测自动回馈方式，将一银基奈米浆料(图中未示)涂布在一散热基板2上，而该银基奈米浆料以重量份计，包含有65～70份银基金属粒子。

    本实用新型属于电力电子的技术领域，尤其是涉及一种IGBT功率模块。背景技术：随着我国工业技术的迅猛发展，大型电力电子设备越来越广泛的应用于各行各业，功率等级和功率密度也越来越高，作为大型电力电子设备部件的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)，由于使用环境特殊，要求IGBT功率模块具有结构合理、维护方便、功率密度等级高等特点。因此，IGBT功率模块常常被业界设计成一个功能完备的模块单元。但现有的IGBT功率模块设计大部分是由相互分立的IGBT元件并联再结合相当数量的直流母线电容组成，结构松散、简单，使得现有IGBT功率模块存在如下缺陷：1、由于电力电子设备整机结构体积要求越来越紧凑，并联的IGBT元件和直流母线电容数量受到相应的限制，故不能满足越来越来高功率等级和高密度的实际需求；2、解决滤波电容散热问题时，由于结构设计不合理，导致散热成本过高；3、现有IGBT功率模块一般主要有多个分立的IGBT元件并联，由于均流效果差，经常导致IGBT发热、Vce尖峰电压过高，引起IGBT失效，降低整体功率单元的寿命，增加运维成本；4、不增加或者增加不合适的放电电阻，增加拆装IGBT功率模块时的风险或成本。

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